MA-9系列(特性/基本规格)
特性
通过采用前沿的0.35µmBiCMOS工艺能将高速数字电路和高性能模拟电路集成到1个芯片内。采用低电压工作工艺（3.3V）实现了节能。
基本规格
1. 逻辑部分
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master名称
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µPD681xx
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工艺
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0.35µm BiCMOS工艺
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电源电压
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3.3V±0.3V (部分I/O∙内部门)
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最大集成度(仅逻辑电路)
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1.7M门(可用)
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接口电平
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LVTTL
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延迟时间
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内部门 *1
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114ps (TYP)
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输入缓冲器 *2
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169ps (TYP)
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输出缓冲器 *3
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864ps (TYP)
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注(*)
- 该值适用于有2个输入NAND功率门、输出端数和布线长度为0.6mm/1 pin pair 的条件。
- 该值适用于有输出端数2和布线长度为0.6mm/1 pin pair 的条件。
- 该值适用于负载电容为15pF且模块名称为FOO1。
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2. 模拟部分
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master名称
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µPD681xx
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工艺
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0.35µm BiCMOS工艺
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电源电压
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3.3V±0.3V
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晶体管
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NPN型
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fT= 10GHz, hFE= 70 (全部TYP)
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PNP型(Bartical型)
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fT= 2GHz, hFE= 30 (全部TYP)
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MOS
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对于N-ch型、P-ch型模拟电路
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多晶硅电阻*1
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绝对精度： ±20%, 相对精度： ±2%
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电容器(MIM型) *1
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绝对精度： ±20%, 相对精度：±2%
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注(*)
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网页指南
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