CB-130（特性/基本规格)
特性
这些是以130 nm CMOS工艺技术为基础的基本单元IC。与CB-12类似，该产品发布了3种型号，分别设计用于不同应用。L型具有抑制待机电流特性而适合于移动设备。M型具有更高的集成度而适合于对成本敏感的消费类应用。H型设计用于要求高速运行的产品，如大型计算机和干线通信设备。从可用门角度来讲，CB-130在40万门和1，900万门间变化（仅L和M型）。它配备了大量CPU（V850E、ARM9等）用的宏库，和指定应用的系统核，它能帮助优化消费类电子和移动设备系统芯片开发。由于CB-130L型是受限范围产品，考虑使用它时请咨询日电电子。
基本规格
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系列名
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CB-130L
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CB-130M
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产品名称
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µPD806000
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µPD805000
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技术
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130nm CMOS工艺
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电源电压
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内部
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1.2 V
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I/O模块
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3.3 V
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可安放门（最小级）*1
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306 K 门
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可安放门（最大级）*1
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19.7M 门
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最大系统频率
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100 MHz
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350 MHz
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功耗 *2
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4.5 nW/兆赫兹/门
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存储器（容量）
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1端口 SRAM
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2至128位, 128字至128K字
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2端口 (1R+1W) SRAM
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2至72位, 32字至32K字
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2端口 (1RW+1RW) SRAM
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2至72位, 32字至32K字
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ROM
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8至32位, 512字至8K字
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封装
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QFP, FPBGA, PBGA, ABGA
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注（*）
- 当芯片上只安放逻辑门时，可安放门是可用门（平均值）的最大值。该数字会根据电路配置和所用核的类型和数量大幅度变化。
- 工作比率:0.35
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