CB-90（特性/基本规格)
特性
这些是以90 nm CMOS工艺技术为基础的基本单元IC。这是一款高速、低功耗产品，它使用1.0V内部电源工作（M或H型）。L型(VDD = 1.2 V运行)具有明显地减少静态电流消耗的特性，它被设计用于如移动电话这样的用电池供电的设备。两种H 类型都是面向有限范围的应用，因此使用之前请与日电电子联系确认。
基本规格
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系列名
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CB-90L
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CB-90M
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产品名称
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µPD809000
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µPD808000
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技术
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90nm CMOS工艺
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电源电压
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内部
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1.2 V
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1.0 V
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I/O模块
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3.3 V
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3.3 V 或 2.5 V 或 1.8 V
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可安放门（最小级）*1
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2.7M 门
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3.0M 门
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可安放门（最大级）*1
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16.5M 门
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27.4M 门
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最大系统频率
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200 MHz
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366 MHz
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电源消耗 (工作比率: 0.35)
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2.7 nW/兆赫兹/门
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1.8 nW/兆赫兹/门
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存储器（容量）
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1端口 SRAM
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2至128位,
8字至16K字
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2至128位,
8字至16K字
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2端口 (1R+1W) SRAM
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2至128位,
8字至512字
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2至290位,
8字至2K字
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2端口 (1RW+1RW) SRAM
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2至128位,
128字至8K字
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2至128位,
128字至8K字
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ROM
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2至128位,
128字至16K字
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2至128位,
128字至16K字
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封装
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QFP, FPBGA, PBGA, ABGA
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注（*）
- 当芯片上只安放逻辑门时，可安放门是可用门（平均值）的最大值。该数字会根据电路配置和所用核的类型和数量大幅度变化。
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