CB-9VX/VM（特性/基本规格)
特性
这些基本单元IC是在.35 µm CMOS工艺技术基础上的。CB-9VX具有一个3.3 V 单电源。CB-9VM支持3.3 V内部电源和5 V I/O模块用电源的双电源，加上5 V 全摆幅信号I/O。 有多种可用门数量（从约80，000门至1，000，000门）的产品版本，能使客户准确选择他们需要的产品尺寸。这些型号很适合那些在要求5V界面的应用，例如在一定的工业领域。
基本规格
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系列名
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CB-9VX
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CB-9VM
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产品名称
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µPD82200
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µPD82600
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技术
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0.35 µm CMOS 工艺
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电源电压
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内部
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3.3 V
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I/O模块
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3.3 V
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3.3 V/5 V
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可安放门（最小级）*1
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79 K 门
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60 K 门
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可安放门（最大级）*1
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965 K 门
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940 K 门
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最大系统频率
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70 MHz
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功耗
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0.3 µW/兆赫兹/门
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存储器（容量）
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1端口 HS SRAM
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1至32位, 32字至32K字
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1端口Super HS SRAM
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1 to 16 bits, 64 words to 1 K words
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1端口HD SRAM
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1至32位, 32字至8K字
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2端口 HS SRAM
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1至32位, 32字至32K字
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2端口HD SRAM
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1至32位, 32字至32K字
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2端口电阻器文件
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4 至 64 位, 8 至 512 字
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固定容量1端口SRAM
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16位 × 2 千字 到 16位 × 16 千字 (4种类型)
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HS ROM
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1至64位, 64字至8K字
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线缓冲器
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8位×7,504字
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封装
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QFP, FPBGA, PBGA
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注（*）
- 当芯片上只安放逻辑门时，可安放门是可用门（平均值）的最大值。该数字会根据电路配置和所用核的类型和数量大幅度变化。
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