FAQ

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GATE电阻

MOSFET的应用手册的图中,有电阻与GATE相接,不同情况用不同的电阻值.那么,该怎样选择其电阻值呢?
电压驱动的情况下，好像没有必要。

FET的GATE电阻的作用为:

- 防止寄生振荡
- 防止浪湧对GATE的冲击
- 抑制开关速度
- 调整前段的驱动能力

但其主要目的是防止寄生振荡(共振).MOSFET的寄生电容与电感具有较大的Q值,附加数十到数百Ω的电阻以降低Q值, 减少共振或振荡.此外, 浪湧保护需要较大的电阻值,但过大的电阻会显著降低响应速度.因此,客户须根据自己的设计规格选择恰当的阻值.

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GATE保护

Q1	请说明GATE保护的必要性。
A1	FET的D-S之间内藏的保护二极管是为了防止操作中的静电损坏。在实际使用中,电路有可能超过额定电压的情况下,不要忘记加上稳压二极管等GATE保护电路。

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寄生二极管

Q1	请告诉我D-S之间的寄生二极管的最大额定电压。
A1	没有单独针对寄生二极管的规定.而正向电流和耐压的额定值请参看DATA SHEET。
Q2	D-S之间的寄生二极管可否用作逆向恢复?
A2	寄生二极管的反向恢复时间较长而不宜用作为高速控制。因此请不要这样使用。

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绝对最大规定值VGS

Q1	2SK3062等的D-S之间的额定值,为什么AC和DC的规格不同? 如…AC:±20V,DC:＋20V,-10V。
A1	AC的情况下,GATE在不断地充放电,与DC相比,GATE的负担较小。因此,手册中分别给予了规定。

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热电阻

Q1	请告诉我FET "2SK3061"的PN结到D(漏)端子之间的热电阻值?
A1	我们假定您所指的D端子为外壳,并作以下说明 Rth(ch-c) = (Tch - Tc) / PT 2SK3061的沟道(CHANNEL)-外壳(D电极)之间的热电阻值为: Rth(ch-c) = (150℃ - 25℃) / 35 W = 3.57 ℃/W

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开启电压

Q1	可否认为FET的D-S之间的导通电压等于GATE的关闭电压(VGS(off))?
A1	不可。客户须根据FET的D-S之间的电流流量的要求来决定GATE电压。因此,开启电压须由客户确定。此外,GATE关闭电压(VGS(off)为FET的D-S之间关闭时的电压。


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