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NNCD**A


封装DO-34

DO-34 图形

数据手册D11769E


额定值


功耗 结温 储藏温度
400mW 175ºC -65 ~ +175ºC


电气特性(TA = +25°C)


类型号 击穿
电压*
VBR (V)
动态
阻抗**
Zz (Ω)
反向
漏电流
IR (µA)
电容
Ct
(pF)
ESD
(kV)
MIN. MAX. IT
(mA)
MAX. Iz
(mA)
MAX. VR
(V)
TYP. 条件 MIN. 条件
NNCD3.3A 3.16 3.53 5 120 5 20 1.0 220 VR=0V
f=1MHz
30 C=150pF
R=330Ω
(IEC61000-4-2)
NNCD3.6A 3.47 3.83 120 10 1.0 210
NNCD3.9A 3.77 4.14 120 5 1.0 200
NNCD4.3A 4.05 4.53 120 5 1.0 180
NNCD4.7A 4.47 4.91 120 5 1.0 170
NNCD5.1A 4.85 5.35 100 5 1.5 160
NNCD5.6A 5.29 5.88 70 5 2.5 140
NNCD6.2A 5.81 6.40 40 5 3.0 120
NNCD6.8A 6.32 6.97 30 2 3.5 110
NNCD7.5A 6.88 7.64 25 0.5 4.0 90
NNCD8.2A 7.56 8.41 20 0.5 5.0 90
NNCD9.1A 8.33 9.29 20 0.5 6.0 90
NNCD10A 9.19 10.3 20 0.2 7.0 80
NNCD11A 10.18 11.26 20 0.2 8.0 70
NNCD12A 11.13 12.30 25 0.2 9.0 70


* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。


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