NNCD**B
额定值
|
功耗
|
结温
|
储藏温度
|
|
500mW
|
175ºC
|
-65 ～ +175ºC
|
|
电气特性(TA = +25°C)
|
类型号
|
击穿
电压*
VBR (V)
|
动态
阻抗**
Zz (Ω)
|
反向
漏电流
IR (µA)
|
电容
Ct (pF)
|
ESD
(kV)
|
|
MIN.
|
MAX.
|
IT
(mA)
|
MAX.
|
Iz
(mA)
|
MAX.
|
VR
(V)
|
TYP.
|
条件
|
MIN.
|
条件
|
|
NNCD3.3B
|
3.16
|
3.53
|
20
|
70
|
20
|
20
|
1.0
|
240
|
VR=0V
f=1MHz
|
30
|
C=150pF
R=330Ω
(IEC61000-4-2)
|
|
NNCD3.6B
|
3.47
|
3.83
|
60
|
10
|
1.0
|
230
|
|
NNCD3.9B
|
3.77
|
4.14
|
50
|
5
|
1.0
|
220
|
|
NNCD4.3B
|
4.05
|
4.53
|
40
|
5
|
1.0
|
210
|
|
NNCD4.7B
|
4.47
|
4.91
|
25
|
5
|
1.0
|
190
|
|
NNCD5.1B
|
4.85
|
5.35
|
13
|
5
|
1.5
|
160
|
|
NNCD5.6B
|
5.29
|
5.88
|
10
|
5
|
2.5
|
140
|
|
NNCD6.2B
|
5.81
|
6.40
|
8
|
5
|
3.0
|
120
|
|
NNCD6.8B
|
6.32
|
6.97
|
8
|
2
|
3.5
|
110
|
|
NNCD7.5B
|
6.88
|
7.64
|
8
|
0.5
|
4.0
|
90
|
|
NNCD8.2B
|
7.56
|
8.41
|
8
|
0.5
|
5.0
|
90
|
|
NNCD9.1B
|
8.33
|
9.29
|
8
|
0.5
|
6.0
|
90
|
|
NNCD10B
|
9.19
|
10.3
|
8
|
0.2
|
7.0
|
80
|
|
NNCD11B
|
10.18
|
11.26
|
10
|
10
|
10
|
0.2
|
8.0
|
70
|
|
NNCD12B
|
11.13
|
12.30
|
10
|
0.2
|
9.0
|
70
|
|
* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR)。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。
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