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NNCD**C


封装SC-78 (USM)

SC-78 (USM) 图形

数据手册D11771E


额定值


功耗 结温 储藏温度
150mW 150ºC -50 ~ +150ºC


电气特性(TA = +25°C)


类型号 击穿
电压*
VBR (V)
动态
阻抗**
Zz (Ω)
反向
漏电流
IR (µA)
电容
Ct (pF)
ESD (kV)
MIN. MAX. IT
(mA)
MAX. Iz
(mA)
MAX. VR
(V)
TYP. 条件 MIN. 条件
NNCD3.3C 3.10 3.50 5 130 5 20 1.0 220 VR=0V
f=1MHz
30 C=150pF
R=330Ω
(IEC61000-4-2)
NNCD3.6C 3.40 3.80 130 10 1.0 210
NNCD3.9C 3.70 4.10 130 10 1.0 200
NNCD4.3C 4.00 4.49 130 10 1.0 180
NNCD4.7C 4.40 4.92 130 10 1.0 170
NNCD5.1C 4.82 5.39 130 5 1.5 160
NNCD5.6C 5.29 5.94 80 5 2.5 140
NNCD6.2C 5.84 6.55 50 5 3.0 120
NNCD6.8C 6.44 7.17 30 2 3.5 110
NNCD7.5C 7.03 7.87 30 2 4.0 90
NNCD8.2C 7.73 8.67 30 2 5.0 90
NNCD9.1C 8.53 9.58 30 2 6.0 90
NNCD10C 9.42 10.58 30 2 7.0 80
NNCD11C 10.40 11.60 30 2 8.0 70
NNCD12C 11.38 12.64 35 2 9.0 70


* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。


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