NNCD**D
额定值
|
功耗
|
结温
|
储藏温度
|
|
200mW
|
150ºC
|
-50 ～ +150ºC
|
|
电气特性(TA = +25°C)
|
类型号
|
击穿
电压*
VBR (V)
|
动态
阻抗**
Zz (Ω)
|
反向
漏电流
IR (µA)
|
电容
Ct (pF)
|
ESD (kV)
|
|
MIN.
|
MAX.
|
IT
(mA)
|
MAX.
|
Iz
(mA)
|
MAX.
|
VR
(V)
|
TYP.
|
条件
|
MIN.
|
条件
|
|
NNCD3.3D
|
3.10
|
3.50
|
5
|
130
|
5
|
20
|
1.0
|
220
|
VR=0V
f=1MHz
|
30
|
C=150pF
R=330Ω
(IEC61000-4-2)
|
|
NNCD3.6D
|
3.40
|
3.80
|
130
|
10
|
1.0
|
210
|
|
NNCD3.9D
|
3.70
|
4.10
|
130
|
10
|
1.0
|
200
|
|
NNCD4.3D
|
4.00
|
4.49
|
130
|
10
|
1.0
|
180
|
|
NNCD4.7D
|
4.40
|
4.92
|
130
|
10
|
1.0
|
170
|
|
NNCD5.1D
|
4.82
|
5.39
|
130
|
5
|
1.5
|
160
|
|
NNCD5.6D
|
5.29
|
5.94
|
80
|
5
|
2.5
|
140
|
|
NNCD6.2D
|
5.84
|
6.55
|
50
|
5
|
3.0
|
120
|
|
NNCD6.8D
|
6.44
|
7.17
|
30
|
2
|
3.5
|
110
|
|
NNCD7.5D
|
7.03
|
7.87
|
30
|
2
|
4.0
|
90
|
|
NNCD8.2D
|
7.73
|
8.67
|
30
|
2
|
5.0
|
90
|
|
NNCD9.1D
|
8.53
|
9.58
|
30
|
2
|
6.0
|
90
|
|
NNCD10D
|
9.42
|
10.58
|
30
|
2
|
7.0
|
80
|
|
NNCD11D
|
10.40
|
11.60
|
30
|
2
|
8.0
|
70
|
|
NNCD12D
|
11.38
|
12.64
|
35
|
2
|
9.0
|
70
|
|
* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。
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