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NNCD**E


封装SC-59 (迷你型)

SC-59 (迷你型) 图形

数据手册D11773E


额定值


功耗 结温 储藏温度
200 mW 150ºC -50 ~ +150ºC


电气特性(TA = +25°C)


类型号 击穿
电压*
VBR (V)
动态
阻抗**
Zz (Ω)
反向
漏电流
IR (µA)
电容
Ct (pF)
ESD (kV)
MIN. MAX. IT
(mA)
MAX. Iz
(mA)
MAX. VR
(V)
TYP. 条件 MIN. 条件
NNCD3.3E 3.10 3.50 5 130 5 20 1.0 220 VR=0V
f=1MHz
30 C=150pF
R=330Ω
(IEC61000-4-2)
NNCD3.6E 3.40 3.80 130 10 1.0 210
NNCD3.9E 3.70 4.10 130 10 1.0 200
NNCD4.3E 4.01 4.48 130 10 1.0 180
NNCD4.7E 4.42 4.90 130 10 1.0 170
NNCD5.1E 4.84 5.37 130 5 1.5 160
NNCD5.6E 5.31 5.92 80 5 2.5 140
NNCD6.2E 5.86 6.53 50 2 3.0 120
NNCD6.8E 6.47 7.14 30 2 3.5 110
NNCD7.5E 7.06 7.84 30 2 4.0 90
NNCD8.2E 7.76 8.64 30 2 5.0 90
NNCD9.1E 8.56 9.55 30 2 6.0 90
NNCD10E 9.45 10.55 30 2 7.0 80
NNCD11E 10.44 11.56 30 2 8.0 70
NNCD12E 11.42 12.60 35 2 9.0 70


* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。


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