NNCD**G
额定值
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功耗
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结温
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储藏温度
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200 mW
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150ºC
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-50 ~ +150ºC
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电气特性(TA = +25°C)
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类型号
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击穿 电压* VBR (V)
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动态 阻抗** Zz (Ω)
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反向 漏电流 IR (µA)
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电容 Ct (pF)
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ESD (kV)
|
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MIN.
|
MAX.
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IT (mA)
|
MAX.
|
Iz (mA)
|
MAX.
|
VR (V)
|
TYP.
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条件
|
MIN.
|
条件
|
|
NNCD3.3G
|
3.10
|
3.50
|
5
|
130
|
5
|
20
|
1.0
|
220
|
VR=0V f=1MHz
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30
|
C=150pF R=330Ω (IEC61000-4-2)
|
|
NNCD3.6G
|
3.40
|
3.80
|
130
|
10
|
1.0
|
210
|
|
NNCD3.9G
|
3.70
|
4.10
|
130
|
10
|
1.0
|
200
|
|
NNCD4.3G
|
4.01
|
4.48
|
130
|
10
|
1.0
|
180
|
|
NNCD4.7G
|
4.42
|
4.90
|
130
|
10
|
1.0
|
170
|
|
NNCD5.1G
|
4.84
|
5.37
|
130
|
5
|
1.5
|
160
|
|
NNCD5.6G
|
5.31
|
5.92
|
80
|
5
|
2.5
|
140
|
|
NNCD6.2G
|
5.86
|
6.53
|
50
|
2
|
3.0
|
120
|
|
NNCD6.8G
|
6.47
|
7.14
|
30
|
2
|
3.5
|
110
|
|
NNCD7.5G
|
7.06
|
7.84
|
30
|
2
|
4.0
|
90
|
|
NNCD27G
|
25.10
|
28.90
|
2
|
70
|
2
|
2
|
21
|
25
|
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* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。
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