NNCD**H
额定值
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功耗
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结温
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储藏温度
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200 mW
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150ºC
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-50 ~ +150ºC
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电气特性(TA = +25°C)
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类型号
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击穿 电压* VBR (V)
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动态 阻抗** Zz (Ω)
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反向 漏电流 IR (µA)
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电容 Ct (pF)
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ESD (kV)
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MIN.
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MAX.
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IT (mA)
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MAX.
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Iz (mA)
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MAX.
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VR (V)
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TYP.
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条件
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MIN.
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条件
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NNCD5.6H
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5.30
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6.30
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5
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110
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5
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5
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2.5
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110
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VR=0V
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30
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C=150pF R=330Ω (IEC61000-4-2)
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NNCD6.8H
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6.20
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7.10
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5
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40
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5
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2
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3.5
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90
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* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
** 应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。
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