NNCD**J
额定值
|
功耗
|
结温
|
储藏温度
|
|
150mW
|
150ºC
|
-55 ～ +150ºC
|
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电气特性(TA = +25°C)
|
类型号
|
击穿
电压*
VBR (V)
|
反向
漏电流
IR (µA)
|
电容
Ct (pF)
|
ESD (kV)
|
|
MIN.
|
MAX.
|
IT
(mA)
|
MAX.
|
VR
(V)
|
TYP.
|
条件
|
MIN.
|
条件
|
|
NNCD5.6J
|
5.3
|
6.3
|
5
|
5
|
2.5
|
110
|
VR=0V f="1" MHz
|
30
|
C=150pF
R=330Ω
(IEC61000-4-2)
|
|
NNCD6.8J
|
6.2
|
7.1
|
5
|
2
|
3.5
|
90
|
30
|
|
NNCD8.2J
|
7.7
|
8.7
|
5
|
2
|
5.0
|
70
|
30
|
|
NNCD10J
|
9.0
|
11.0
|
5
|
2
|
7.0
|
55
|
30
|
|
NNCD16J
|
15.0
|
17.0
|
5
|
2
|
12.0
|
30
|
30
|
|
NNCD18J
|
16.2
|
19.8
|
5
|
2
|
13.0
|
25
|
23
|
|
NNCD24J
|
22.0
|
26.0
|
5
|
2
|
19.0
|
20
|
15
|
|
NNCD36J
|
34.0
|
38.0
|
2
|
2
|
27.0
|
15
|
12
|
|
* 在40ms脉冲测试条件下测量的击穿电压(VBR) 。
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