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RD**S


封装SC-76 (SSP)

SC-76 (SSP) 图形

数据手册D11444E


额定值


功耗 结温 储藏温度
200 mW 150ºC -50 ~ +150ºC


电气特性(TA = +25°C ± 2°C)


类型号 类别 齐纳电压
VZ (V)
动态阻抗
ZZ (Ω)
反向电流
IR (µA)
Vz 类型(窄型)
MIN. MAX. Iz (mA) MAX. Iz (mA) MAX. VR (V)
RD2.0S B 1.90 2.20 5 100 5 120 0.5  
RD2.2S B 2.10 2.40 5 100 5 120 0.7  
RD2.4S B 2.30 2.60 5 100 5 120 1.0  
RD2.7S B 2.50 2.90 5 110 5 120 1.0 B1, B2
RD3.0S B 2.80 3.20 5 120 5 50 1.0 B1, B2
RD3.3S B 3.10 3.50 5 130 5 20 1.0 B1, B2
RD3.6S B 3.40 3.80 5 130 5 10 1.0 B1, B2
RD3.9S B 3.70 4.10 5 130 5 10 1.0 B1, B2
RD4.3S B 4.00 4.49 5 130 5 10 1.0 B1, B2, B3
RD4.7S B 4.40 4.92 5 130 5 10 1.0 B1, B2, B3
RD5.1S B 4.82 5.39 5 130 5 5 1.5 B1, B2, B3
RD5.6S B 5.29 5.94 5 80 5 5 2.5 B1, B2, B3
RD6.2S B 5.84 6.55 5 50 5 2 3.0 B1, B2, B3
RD6.8S B 6.44 7.17 5 30 5 2 3.5 B1, B2, B3
RD7.5S B 7.03 7.87 5 30 5 2 4.0 B1, B2, B3
RD8.2S B 7.73 8.67 5 30 5 2 5.0 B1, B2, B3
RD9.1S B 8.53 9.58 5 30 5 2 6.0 B1, B2, B3
RD10S B 9.42 10.58 5 30 5 2 7.0 B1, B2, B3
RD11S B 10.40 11.60 5 30 5 2 8.0 B1, B2, B3
RD12S B 11.38 12.64 5 35 5 2 9.0 B1, B2, B3
RD13S B 12.43 14.00 5 35 5 2 10  
RD15S B 13.80 15.56 5 40 5 2 11  
RD16S B 15.31 17.14 5 40 5 2 12  
RD18S B 16.89 19.08 5 45 5 2 13  
RD20S B 18.80 21.14 5 50 5 2 15  
RD22S B 20.81 23.25 5 55 5 2 17  
RD24S B 22.86 25.66 5 60 5 2 19  
RD27S B 25.10 28.90 2 70 2 2 21  
RD30S B 28.00 32.00 2 80 2 2 23  
RD33S B 31.00 35.00 2 80 2 2 25  
RD36S B 34.00 38.00 2 90 2 2 27  
RD39S B 37.00 41.00 2 100 2 2 30  
RD43S B 40.00 45.00 2 130 2 2 33  
RD47S B 44.00 49.00 2 150 2 2 36  
RD51S B 48.00 54.00 2 180 2 1 39  
RD56S B 53.00 60.00 2 180 2 1 43  
RD62S B 58.00 66.00 2 200 2 0.2 47  
RD68S B 64.00 72.00 2 250 2 0.2 52  
RD75S B 70.00 79.00 2 300 2 0.2 57  
RD82S B 77.00 87.00 2 300 2 0.2 63  
RD91S B 85.00 96.00 1 700 1 0.2 69  
RD100S B 94.00 106.00 1 700 1 0.2 76  
RD110S B 104.00 116.00 1 800 1 0.2 84  
RD120S B 114.00 126.00 1 900 1 0.2 91  
RD150S B 140.00 160.00 1 1500 1 0.2 120  


备注1.在40ms脉冲测试条件下测量的齐纳电压(VZ)。
备注2.应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。


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