NEC Electronics (China) NEC ELECTRONICS (CHINA)
日电电子 NEC
HOME
APPLICATIONS
PRODUCTS
TECHNOLOGY
SUPPORT
NEWS & EVENTS
ABOUT US
header
产品名称搜寻
关键字搜寻 		文档搜寻
参数搜寻
    网页指南  联系我们  
产品 > 分立器件晶 > 产品系列 > RD >

RD**UM


封装SC-78 (USM)

SC-78 (USM) 图形

数据手册D13562E


额定值


功耗 结温 储藏温度
150 mW 150ºC -50 ～ +150ºC


电气特性(TA = +25°C ± 2°C)


类型号 类别 齐纳电压
VZ (V) 		动态阻抗
ZZ (Ω) 		反向电流
IR (µA) 		Vz 类型(窄型)
MIN. MAX. Iz (mA) MAX. Iz (mA) MAX. VR (V)
RD2.0UM B 1.90 2.20 5 100 5 120 0.5 -
RD2.2UM B 2.10 2.40 5 100 5 120 0.7 -
RD2.4UM B 2.30 2.60 5 100 5 120 1.0 -
RD2.7UM B 2.50 2.90 5 110 5 120 1.0 B1, B2
RD3.0UM B 2.80 3.20 5 120 5 50 1.0 B1, B2
RD3.3UM B 3.10 3.50 5 130 5 20 1.0 B1, B2
RD3.6UM B 3.40 3.80 5 130 5 10 1.0 B1, B2
RD3.9UM B 3.70 4.10 5 130 5 10 1.0 B1, B2
RD4.3UM B 4.00 4.49 5 130 5 10 1.0 B1, B2, B3
RD4.7UM B 4.40 4.92 5 130 5 10 1.0 B1, B2, B3
RD5.1UM B 4.82 5.39 5 130 5 5 1.5 B1, B2, B3
RD5.6UM B 5.29 5.94 5 80 5 5 2.5 B1, B2, B3
RD6.2UM B 5.84 6.55 5 50 5 2 3.0 B1, B2, B3
RD6.8UM B 6.44 7.17 5 30 5 2 3.5 B1, B2, B3
RD7.5UM B 7.03 7.87 5 30 5 2 4.0 B1, B2, B3
RD8.2UM B 7.73 8.67 5 30 5 2 5.0 B1, B2, B3
RD9.1UM B 8.53 9.58 5 30 5 2 6.0 B1, B2, B3
RD10UM B 9.42 10.58 5 30 5 2 7.0 B1, B2, B3
RD11UM B 10.40 11.60 5 30 5 2 8.0 B1, B2, B3
RD12UM B 11.38 12.64 5 35 5 2 9.0 B1, B2, B3
RD13UM B 12.43 14.00 5 35 5 2 10 B1, B2, B3
RD15UM B 13.80 15.56 5 40 5 2 11 B1, B2, B3
RD16UM B 15.31 17.14 5 40 5 2 12 B1, B2, B3
RD18UM B 16.89 19.08 5 45 5 2 13 B1, B2, B3
RD20UM B 18.80 21.14 5 50 5 2 15 B1, B2, B3
RD22UM B 20.81 23.25 5 55 5 2 17 B1, B2, B3
RD24UM B 22.86 25.66 5 60 5 2 19 B1, B2, B3
RD27UM B 25.10 28.90 2 70 2 2 21 -
RD30UM B 28.00 32.00 2 80 2 2 23 -
RD33UM B 31.00 35.00 2 80 2 2 25 -
RD36UM B 34.00 38.00 2 90 2 2 27 -
RD39UM B 37.00 41.00 2 100 2 2 30 -


备注1.在40ms脉冲测试条件下测量的齐纳电压(VZ)。
备注2.应用很小的AC电流信号在Iz条件下测量的动态阻抗(Zz)。


BACK TO TOP

   LEGAL    最新之产品资料, 请参阅英文版。
 请用Internet Explorer浏览本网站以达最佳效果。		   © 2005-2008  NEC Electronics China Limited