CMOS-12M 系列
CMOS-12M系列代表了门阵列技术和深亚微米ASIC之间的联系。该门阵列系列是基于150um CMOS工艺，采用5或6层金属层来最优化布局。CMOS-12M的另一重要特性是拥有高密度嵌入式，双端口SRAM模块。
特殊特性
- 150 nm 节点长度, 1.5V电压
- 门海结构的嵌入式高密度SRAM模块
- 工作环境温度范围从-40至+85°C（工业）
- 低单价和低NRE成本
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应用
- 需要大容量存储的任何设备
- 需要高速运行的任何设备
- 需要降低功耗的任何设备
- 需要缩小规模的任何设备
- 需要降低成本的任何设备
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规格
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项目
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规格
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工艺
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0.15 µm CMOS 工艺
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使用门的数量
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125,000 至 2,000,000个门
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封装
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100/144 LQFP, 208 QFP(FP), 108/160/208 FPBGA, 256/324/449/676 PBGA, 352/500/576/672/756 ABGA
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供给电压
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内部:1.5±0.15V 外部:3.3 V, 2.5 V, 1.8 V, 1.5 V (1.5V和1.8V正在开发中)
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功耗
(VDD=1.5 V)
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19.6 nW/兆赫兹/门（工作速率=0.35）
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延迟时间
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62 ps （2个输出的NAND，F/O=1，典型线长）
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系统时钟频率
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200 兆赫兹
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输出驱动容量
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IOLH=3, 6, 9, 12 mA
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工作环境温度
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TA=-40 至 85°C
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I/O接口
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3.3V CMOS, LVTTL, LVPECL, 2.5V CMOS, 2.5V LVDS, SSTL2, SSTL3, 2.5V LVPECL, 3.3V PCI, HSTL, GTL+
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存储器宏
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同步1端口或2端口编译 RAM，嵌入式 RAM
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兆宏
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-UART -PCI 控制器 -DDR 控制器
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嵌入式宏
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-SRAM：同步双端口编译RAM -APLL：相切换类型，SSCG类型 -从DLL：用于高速 SDRAM 接口
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相关的嵌入式测试
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SCAN, BSCAN, BIST
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??信息
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I/O 类型
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频率(MHz)
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VDDQ (V)
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LVTTL
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133
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-
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2.5 V CMOS
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133
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2.5
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1.8 V CMOS
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133
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1.8
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SSTL3
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300
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-
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SSTL2
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300
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2.5
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1.5 V HSTL
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266
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1.5
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1.8 V HSTL
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266
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1.8
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LVPECL
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300
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-
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2.5 V PECL
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300
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2.5
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2.5 V LVDS
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333
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2.5
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2.5 V RSDS
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200
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2.5
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PCI
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66
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-
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PCI-X (模式)
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133
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-
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