CMOS-9HD 系列
具有3或4（可选）层金属层和被完全证明的，中等性能的工艺，CMOS-9HD系列允许在高复杂性的设计下进行弹性应用。这些产品可以很容易地支持高于100MHz性能的系统。
特殊特性
- 0.35 µm 漏极长度
- 3.3V 电压库
- 工作环境温度范围从-40至+85°C（工业）
- 高速I/O: GTL, GTL+, HSTL, SSTL, pECL, PCI
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应用
- 3.3V单驱动大中型系统
- 组合的 3.3V 和 5V 大中型系统
- 3.3V 单电路 或 3.3V 和 5V I/F组合电路
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规格
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项目
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规格
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工艺
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0.35 µm CMOS 工艺
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使用门的数量
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11,207 至 1,500,000个门
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供给电压
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3.3±0.3 V, 3.3±0.165 V, 3.0±0.3 V
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延迟时间
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内部门
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131 ps （F/O=1，典型线长）
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功率门
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107 ps （F/O=1，典型线长）
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输入缓冲器
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229 ps （F/O=2，典型线长）
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输出缓冲器
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1.396 ps (IOL=9 mA, CL=15 pF)
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最大工作频率
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100 兆赫兹
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输出驱动容量
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IOL=1, 2, 3, 6, 9, 12, 18, 24 mA
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工作环境温度
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TA=-40 至 85°C
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I/O 缓冲器
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3.3 类型，可以承受 5 V，PCI，GTL+， 振动模块 （MHz频带）
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存储器宏
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-同步高速双端口编译 RAM -异步高速度单/双端口编译 RAM、ROM-异步高密度单/双端口编译 RAM、ROM
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兆宏
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-串行控制单元 -可编程的计时计数器 - 中断控制单元 -UART
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测试相关
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SCAN, BSCAN
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其他宏
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CTS、DPLL （用于相位控制，用于乘法），SSCG
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网页指南
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