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EA-9HD 系列


EA-9HD系列提供先进的嵌入式门阵列,基于0.35µm CMOS工艺和3层或4层(可选)金属层。该系列的高密度,高速度的结构使得嵌入式高密度基于单元的SRAM模块变为可能。用特殊容量单元填补内部电路的空区域,和/或分离内部电路和I/O部件的电源线,来降低EMI噪音。


特殊特性



应用



规格


项目 规格
工艺 0.35 µm CMOS 工艺
使用门的数量 9,700 至 1,500,000个门
供给电压 3.3±0.3V, 3.3±0.165V, 3.0±0.3V
延迟时间 内部门 131 ps (F/O=1,典型线长)
功率门 107 ps (F/O=1,典型线长)
输入缓冲器 229 ps (F/O=2,典型线长)
输出缓冲器 1.396 ps (IOL=9 mA, CL=15 pF)
系统时钟频率 100 兆赫兹
输出驱动容量 IOL=1, 2, 3, 6, 9, 12, 18, 24 mA
工作环境温度 TA=-40 至 85°C
I/O 缓冲器 3.3 V 类型, 5 V 全摆幅,PCI,GTL+,振动模块(MHz频带,KHz频带)
存储器宏 -同步高速双端口编译 RAM -同步高密度单/双端口编译 RAM、ROM
兆宏 -串行控制单元 -可编程的计时计数器 - 中断控制单元 -UART -POR (重新启动)
测试相关 SCAN, BSCAN
其他宏 CTS、DPLL (用于相位控制,用于乘法),APLL(用于相位控制,用于乘法),SSCG

Master /封装系列



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