EA-9HD 系列
EA-9HD系列提供先进的嵌入式门阵列,基于0.35µm CMOS工艺和3层或4层(可选)金属层。该系列的高密度,高速度的结构使得嵌入式高密度基于单元的SRAM模块变为可能。用特殊容量单元填补内部电路的空区域,和/或分离内部电路和I/O部件的电源线,来降低EMI噪音。
特殊特性

- 3.3V 电压
- 5V 全摆幅 I/Os
- 扩频时钟发生器的宏用来消除EMI噪声
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应用

- 大中型嵌入式存储器
- 3.3V单驱动大中型系统
- 组合的 3.3V 和 5V 大中型系统
- 3.3V 单电路或 3.3V 和 5V I/F组合电路
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规格

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项目
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规格
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工艺
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0.35 µm CMOS 工艺
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使用门的数量
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9,700 至 1,500,000个门
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供给电压
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3.3±0.3V, 3.3±0.165V, 3.0±0.3V
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延迟时间
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内部门
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131 ps (F/O=1,典型线长)
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功率门
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107 ps (F/O=1,典型线长)
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输入缓冲器
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229 ps (F/O=2,典型线长)
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输出缓冲器
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1.396 ps (IOL=9 mA, CL=15 pF)
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系统时钟频率
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100 兆赫兹
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输出驱动容量
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IOL=1, 2, 3, 6, 9, 12, 18, 24 mA
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工作环境温度
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TA=-40 至 85°C
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I/O 缓冲器
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3.3 V 类型, 5 V 全摆幅,PCI,GTL+,振动模块(MHz频带,KHz频带)
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存储器宏
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-同步高速双端口编译 RAM -同步高密度单/双端口编译 RAM、ROM
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兆宏
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-串行控制单元 -可编程的计时计数器 - 中断控制单元 -UART -POR (重新启动)
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测试相关
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SCAN, BSCAN
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其他宏
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CTS、DPLL (用于相位控制,用于乘法),APLL(用于相位控制,用于乘法),SSCG
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Master /封装系列

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