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DDRII SRAM 72M bit
72M bits (8M words x 8 bits 结构)

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零件编号*1
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速度 级别
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时钟 频率 (MHz)
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供给电压 (V)
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封装
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备注
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数据 手册
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芯片
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I/O*2
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µPD44644082
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E37
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270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
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F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
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常见I/O, 爆发存取长度为2
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(362KB)
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E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
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µPD44644084
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为4
|
(367KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
µPD44644085
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
独立I/O, 爆发存取长度为2
|
(371KB)
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E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
注(*)

- 72M DDR II SRAM正在开发当中。
- 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。
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72M bits (8M words x 9 bits 结构)

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零件编号*1
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速度 级别
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时钟 频率 (MHz)
|
供给电压 (V)
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封装
|
备注
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数据 手册
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|
芯片
|
I/O*2
|
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µPD44644092
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为2
|
(362KB)
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E40
|
250
|
|
E50
|
200
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µPD44644094
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为4
|
(367KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
µPD44644095
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
独立I/O, 爆发存取长度为2
|
(371KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
注(*)

- 72M DDR II SRAM正在开发当中。
- 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。
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72M bits (4M words x 18 bits 结构)

|
零件编号*1
|
速度 级别
|
时钟 频率 (MHz)
|
供给电压 (V)
|
封装
|
备注
|
数据 手册
|
|
芯片
|
I/O*2
|
|
µPD44644182
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为2
|
(362KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
µPD44644184
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为4
|
(367KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
µPD44644185
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
独立I/O, 爆发存取长度为2
|
(371KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
注(*)

- 72M DDR II SRAM正在开发当中。
- 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。
|
72M bits (2M words x 36 bits 结构)

|
零件编号*1
|
速度 级别
|
时钟 频率 (MHz)
|
供给电压 (V)
|
封装
|
备注
|
数据 手册
|
|
芯片
|
I/O*2
|
|
µPD44644362
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为2
|
(362KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
µPD44644364
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
常见I/O, 爆发存取长度为4
|
(367KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
µPD44644365
|
E37
|
270
|
1.8±0.1
|
1.4 至 1.9
|
F5-FQ1: 165-管脚 BGA (15x17mm)
|
独立I/O, 爆发存取长度为2
|
(371KB)
|
|
E40
|
250
|
|
E50
|
200
|
|
注(*)

- 72M DDR II SRAM正在开发当中。
- 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。
|
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