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DDRII SRAM 72M bit




72M bits (8M words x 8 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44644082 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(362KB)
E40 250
E50 200
µPD44644084 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(367KB)
E40 250
E50 200
µPD44644085 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(371KB)
E40 250
E50 200


注(*)


  1. 72M DDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bits (8M words x 9 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44644092 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(362KB)
E40 250
E50 200
µPD44644094 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(367KB)
E40 250
E50 200
µPD44644095 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(371KB)
E40 250
E50 200


注(*)


  1. 72M DDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bits (4M words x 18 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44644182 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(362KB)
E40 250
E50 200
µPD44644184 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(367KB)
E40 250
E50 200
µPD44644185 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(371KB)
E40 250
E50 200


注(*)


  1. 72M DDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bits (2M words x 36 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44644362 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(362KB)
E40 250
E50 200
µPD44644364 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(367KB)
E40 250
E50 200
µPD44644365 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(371KB)
E40 250
E50 200


注(*)


  1. 72M DDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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