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DDR II SRAM



概要


这是一个DDR(双数据速率)型的SRAM,可以每秒钟读/写数据两次。该产品的处理速度明显高于传统的同步SRAM产品。采用BGA封装有助于减少SRAM的占有空间。DDRII SRAM适用于连续读/写应用,如网络开关和路由器一览表中所使用的应用。


特性


500兆赫兹的数据I/O并带有250兆赫兹的外部输入时钟
扩大数据有效窗口促进了系统设计
同时提供独立I/O类型的产品
用于商业*1 和工业*2 两种工作环境温度范围的产品系列。


注(*)


  1. TA=0 至 +70°C
  2. TA= -40 至 +85°C

系列


密度 结构
(字x位)
突发
长度
零件编号
(通用I/O)
零件编号
(独立I/O)
备注
(xx = 位)
72兆*1 8兆 x 8-位
8兆 x 9-位
4兆 x 18-位
2兆 x 36-位
2 µPD44644xx2 µPD44644xx5 (xx = 08, 09, 18, 36)
4 µPD44644xx4 --
36兆 4兆 x 8-位
4兆 x 9-位
2兆 x 18-位
1兆 x 36-位
2 µPD44324xx2 µPD44324xx5
4 µPD44324xx4 --
18兆*2 2兆 x 8-位
2兆 x 9-位*3
1兆 x 18-位
512千 x 36-位
2 µPD44164xx2
µPD44164xx2A
µPD44164xx5
µPD44164xx5A
4 µPD44164xx4
µPD44164xx4A
--


注(*)


  1. 开发中。

  2. µPD44164xx2A,µPD44164xx4A 和 µPD44164xx5A 都可分别与 µPD44164xx2, µPD44164xx4 和 µPD44164xx5高度兼容。
    µPD44164xx2A, µPD44164xx4A 和 µPD44164xx5A 都是推荐用于新设计的产品。这些产品计划与µPD44164xx2A,µPD44164xx4A 和 µPD44164xx5A统一。

  3. 由2兆 x9结构的18兆密度产品是µPD44164092A, µPD44164094A 和 µPD44164095A。

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