DDR II SRAM
概要

这是一个DDR(双数据速率)型的SRAM,可以每秒钟读/写数据两次。该产品的处理速度明显高于传统的同步SRAM产品。采用BGA封装有助于减少SRAM的占有空间。DDRII SRAM适用于连续读/写应用,如网络开关和路由器一览表中所使用的应用。
特性

500兆赫兹的数据I/O并带有250兆赫兹的外部输入时钟 扩大数据有效窗口促进了系统设计 同时提供独立I/O类型的产品 用于商业*1 和工业*2 两种工作环境温度范围的产品系列。
注(*)

- TA=0 至 +70°C
- TA= -40 至 +85°C
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系列

注(*)

- 开发中。
- µPD44164xx2A,µPD44164xx4A 和 µPD44164xx5A 都可分别与 µPD44164xx2, µPD44164xx4 和 µPD44164xx5高度兼容。
µPD44164xx2A, µPD44164xx4A 和 µPD44164xx5A 都是推荐用于新设计的产品。这些产品计划与µPD44164xx2A,µPD44164xx4A 和 µPD44164xx5A统一。
- 由2兆 x9结构的18兆密度产品是µPD44164092A, µPD44164094A 和 µPD44164095A。
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