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DDR II+ SRAM 72M bit




72M bit(9M word x 8bit 结构)


2.0 周期读取等待


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O *2
µPD44646092 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(399KB)
E30 333
E33 300
µPD44646094 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(402KB)
E30 333
E33 300
µPD44646095 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(398KB)
E30 333
E33 300


2.5 周期读取等待


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O *2
µPD44646093 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(399KB)
E27 375
E30 333
E33 300
µPD44646096 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(402KB)
E27 375
E30 333
E33 300
µPD44646097 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(398KB)
E27 375
E30 333
E33 300


注释(*)


  1. 72M DDR II+ SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bit(4M word x 18bit 结构)


2.0 周期读取等待


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O *2
µPD44646182 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(399KB)
E30 333
E33 300
µPD44646184 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(402KB)
E30 333
E33 300
µPD44646185 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(398KB)
E30 333
E33 300


2.5 周期读取等待


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O *2
µPD44646183 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(399KB)
E27 375
E30 333
E33 300
µPD44646186 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(402KB)
E27 375
E30 333
E33 300
µPD44646187 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(398KB)
E27 375
E30 333
E33 300


注释(*)


  1. 72M DDR II+ SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bit(2M word x 36bit 结构)


2.0 周期读取等待


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O *2
µPD44646362 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(399KB)
E30 333
E33 300
µPD44646364 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(402KB)
E30 333
E33 300
µPD44646365 E27 375 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(398KB)
E30 333
E33 300


2.5 周期读取等待


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O *2
µPD44646363 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为2
(399KB)
E27 375
E30 333
E33 300
µPD44646366 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
常见I/O,
爆发存取长度为4
(402KB)
E27 375
E30 333
E33 300
µPD44646367 E25 400 1.8±0.1 1.5±0.1 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
独立I/O,
爆发存取长度为2
(398KB)
E27 375
E30 333
E33 300


注释(*)


  1. 72M DDR II+ SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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