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产品 > Memory > 产品系列 > 静态RAM(SRAM) > QDR II SRAM >

QDR™II SRAM 18M bit

(工作环境温度: 商业用 TA=0 至 +70°C),
(工作环境温度: 工业用 TA= -40 至 +85°C)


  • 18M


18M bits (2M words x 8 bits 结构）


零件编号*1 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至
+70°C 		-40 至
+85°C 		芯片 I/O*2
µPD44165082 E50 -- 200 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ1:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(309KB)
E60 -- 167
E75 -- 133
µPD44165082A E40 E40Y 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(378KB)
E50 E50Y 200
µPD44165084 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ1:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(311KB)
E50 -- 200
E60 -- 167
µPD44165084A E33 -- 300 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(389KB)
-- E37Y 270
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注（*）


  1. µPD44165082A 和 µPD44165084A 都可分别与 µPD44165082 和 µPD44165084高度兼容。
    µPD44165082A 和 µPD44165084A 都是推荐用于新设计的产品。这些产计划与µPD44165082A 和 µPD44165084A统一。

  2. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。

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18M bits (2M words x 9 bits 结构）


零件编号 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至
+70°C 		-40 至
+85°C 		芯片 I/O*2
µPD44165092A E40 E40Y 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(378KB)
E50 E50Y 200
µPD44165094A E33 -- 300 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(389KB)
-- E37Y 270
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注（*）


  1. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。

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18M bits (1M words x 18 bits 结构）


零件编号*1 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至
+70°C 		-40 至
+85°C 		芯片 I/O*2
µPD44165182 E50 -- 200 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ1:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(309KB)
E60 -- 167
E75 -- 133
µPD44165182A E40 E40Y 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(378KB)
E50 E50Y 200
µPD44165184 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ1:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(311KB)
E50 -- 200
E60 -- 167
µPD44165184A E33 -- 300 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(389KB)
-- E37Y 270
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注（*）


  1. µPD44165182A 和 µPD44165184A 都可分别与 µPD44165182 和 µPD44165184高度兼容。
    µPD44165182A 和 µPD44165184A 都是推荐用于新设计的产品。这些产品计划与µPD44165182A 和 µPD44165184A统一。

  2. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。

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18M bits (512K words x 36 bits 结构）


零件编号*1 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至
+70°C 		-40 至
+85°C 		芯片 I/O*2
µPD44165362 E50 -- 200 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ1:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(309KB)
E60 -- 167
E75 -- 133
µPD44165362A E40 -- 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
2 		(378KB)
E50 -- 200
µPD44165364 E50 -- 200 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ1:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(311KB)
E60 -- 167
µPD44165364A E33 -- 300 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度
4 		(389KB)
E40 -- 250
E50 -- 200


注（*）


  1. µPD44165362A 和 µPD44165364A 都可分别与 µPD44165362 和 µPD44165364高度兼容。
    µPD44165362A 和 µPD44165364A 都是推荐用于新设计的产品。这些产品计划与µPD44165362A 和 µPD44165364A统一。
  2. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。


QDR

QDR RAM和Quad Data Rate RAM由包括由Cypress半导体、Renesas、IDT、日电电子和三星开发的一系列新产品。


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