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产品 > Memory > 产品系列 > 静态RAM(SRAM) > QDR II SRAM >

QDR™II SRAM 36M bit

(工作环境温度: 商业用 TA=0 至 +70°C),
(工作环境温度: 工业用 TA= -40 至 +85°C)


  • 36M


36M bits (4M words x 8 bits 结构）


零件编号 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至 +70°C -40 至 +85°C 芯片 I/O*1
µPD44325082 E40 E40Y 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 2 (385KB)
E50 E50Y 200
µPD44325084 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 4 (388KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注（*）


  1. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。

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36M bits (4M words x 9 bits 结构）


零件编号 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至 +70°C -40 至 +85°C 芯片 I/O*1
µPD44325092 E40 E40Y 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 2 (385KB)
E50 E50Y 200
µPD44325094 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 4 (388KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注（*）


  1. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。

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36M bits (2M words x 18 bits 结构）


零件编号 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至 +70°C -40 至 +85°C 芯片 I/O*1
µPD44325182 E40 E40Y 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 2 (385KB)
E50 E50Y 200
µPD44325184 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 4 (388KB)
E40 E40Y 250
E50 E50Y 200


注（*）


  1. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。

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36M bits (1M words x 36 bits 结构）


零件编号 速度
级别 		时钟
频率
(MHz) 		供给电压
（V） 		封装 备注 数据
手册
0 至 +70°C -40 至 +85°C 芯片 I/O*1
µPD44325362 E40 -- 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 2 (385KB)
E50 -- 200
µPD44325364 E37 -- 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-EQ2:
165-管脚 BGA
(13x15mm) 		突发长度 4 (388KB)
E40 -- 250
E50 -- 200


注（*）


  1. 在正常工作状态下，I/O的电压不得超过芯片的电压。


QDR

QDR RAM和Quad Data Rate RAM由包括由Cypress半导体、Renesas、IDT、日电电子和三星开发的一系列新产品。


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