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QDR™II SRAM 72M bit




72M bits (8M words x 8 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44645082 E40 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 2 (371KB)
E50 200
µPD44645084 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 4 (380KB)
E40 250
E50 200


(注*)


  1. 72M QDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bits (8M words x 9 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44645092 E40 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 2 (371KB)
E50 200
µPD44645094 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 4 (380KB)
E40 250
E50 200


(注*)


  1. 72M QDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bits (4M words x 18 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44645182 E40 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 2 (371KB)
E50 200
µPD44645184 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 4 (380KB)
E40 250
E50 200


(注*)


  1. 72M QDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。

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72M bits (2M words x 36 bits 结构)


零件编号*1 速度
级别
时钟
频率
(MHz)
供给电压
(V)
封装 备注 数据
手册
芯片 I/O*2
µPD44645362 E40 250 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 2 (371KB)
E50 200
µPD44645364 E37 270 1.8±0.1 1.4 至 1.9 F5-FQ1:
165-管脚 BGA
(15x17mm)
突发长度 4 (380KB)
E40 250
E50 200


(注*)


  1. 72M QDR II SRAM正在开发当中。
  2. 在正常工作状态下,I/O的电压不得超过芯片的电压。


QDR

QDR RAM和Quad Data Rate RAM由包括由Cypress半导体、Renesas、IDT、日电电子和三星开发的一系列新产品。



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