NEC Electronics (China) NEC ELECTRONICS (CHINA)
日电电子 NEC
HOME
APPLICATIONS
PRODUCTS
TECHNOLOGY
SUPPORT
NEWS & EVENTS
ABOUT US
header
产品名称搜寻
关键字搜寻
文档搜寻
参数搜寻
    网页指南  联系我们  

QDR™ II+ SRAM



概要


这是一个QDR(四倍数据速率)型SRAM, 与常规QDR™ II SRAM相比具有高数据传输速率性能.两种周期读取等待(RL), 分别是RL=2.0时钟周期和RL=2.5时钟周期。QDR II+ SRAM适用于高数据传输率性能的网络交换器和路由器。


特性


800MHz的数据I/O且外部输入时钟为400MHz (RL=2.5, 400MHz)


系列


2.0 周期读取等待


密度 结构
(word x bit)
突发
长度
零件编号 备注
(xx = bit)
72M*1 8M x 9-bit
4M x 18-bit
2M x 36-bit
4 µPD44647xx4 (xx = 09, 18, 36)


2.5 周期读取等待


密度 结构
(word x bit)
突发
长度
零件编号 备注
(xx = bit)
72M*1 8M x 9-bit
4M x 18-bit
2M x 36-bit
4 µPD44647xx6 (xx = 09, 18, 36)


注(*)


  1. 开发中。


QDR

QDR RAM和Quad Data Rate RAM由包括由Cypress半导体、Renesas、IDT、日电电子和三星开发的一系列新产品。



   LEGAL    最新之产品资料, 请参阅英文版
 请用Internet Explorer浏览本网站以达最佳效果。
  © 2005-2008  NEC Electronics China Limited