自编程功能
自编程,通过闪存微控制器内部闪存中的程序可以实现对闪存的自编程。
设置允许自编程功能参数,在不使用闪存编程器的情况下便可以更新程序。
通过NEC Electronics的库函数和示例程序,很容易使用自编程功能注。
此外,为了防止在自编程期间由于瞬间掉电而破坏引导区,提供了一个引导交换功能。
注

如果不支持引导交换功能

- 要自编程引导区,必须预先将程序保存到RAM区。
- 如果在对引导区编程期间发生瞬间掉电,RAM区的程序将被清除并且引导区也被破坏。
- 因为引导区被破坏,在电源恢复之后,微控制器不会正常执行程序。
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如果支持引导交换功能

当使用引导交换功能时,即使在自编程期间发生瞬间掉电,一个没有被破坏的引导程序仍然存在,所以整个闪存存储区依然能够被编程。
使用引导交换功能重写闪存的示例

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