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更新:2008年10月29日

器件编号 应用 电压
(V)
电流
(毫安)
频率
(兆赫兹)
性能 封装 fT
(GHz)
NE3503M04高 DBS 变频器, LNA, HJ-FET 2 10 12000 NF=0.55dB, Ga=11.5dB F4TSMM -
NE3508M04高 GPS, GaAs, LNA 等, HJ-FET 2 10 2000 NF=0.45dB, Ga=14dB F4TSMM -
NE3509M04高 GPS, GaAs, LNA 等, HJ-FET 2 10 2000 NF=0.4dB, Ga=17.5dB F4TSMM -
NE3510M04高 GaAs, 卫星无线电(SDARS, DMB,等), LNA, HJ-FET 2 15 4000 NF=0.45dB, Ga=16dB F4TSMM -
NESG2046M33高 VCO, SiGeHBT 1 3 2000 NF=0.8dB 3SLM2 (M33) 18.0
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