概要

拥有嵌入式DRAM (eDRAM)在性能和市场份额中的领先位置, 日电电子已经把先进的55纳米eDRAM技术引入ASIC领域.无论是新eDRAM家族还是以往的系列, 我们在许多特性方面处于引领技术的位置:

这些特性帮助了正在不断成长普及地eDRAM得到更广泛地应用-从通讯系统到小家电;从企业服务到娱乐系统.在这些应用领域中,日电电子已经输出了大量的带eDRAM的ASIC产品.用于 Nintendo GameCube™ 和 Microsoft® XBox 360™的复杂系统LSI芯片的成功推进了数百万产品的大量生产.

通过一代又一代的芯片研发,ASIC的设计者们正渐渐发现了嵌入式DRAM所带来的利益并且发现了日电电子具有在eDRAM应用领域的广泛经验的优势.那经验在我们最新代产品中继续积累着.55纳米技术影响着工艺进步从而达到更快的处理时间,与此同时保持了非常低的功耗;这使得eDRAM成为诸如移动电话等移动应用的理想选择.

eDRAM的优势

没有嵌入式DRAM

嵌入式DRAM

把大模块DRAM嵌入到您的ASIC中可带来许多好处.通过无需驱动I/O信号来独立存储器芯片,eDRAM推进存储器性能和整个系统的宽带.排除I/O驱动器同时也降低了功耗和噪音.ASIC管脚的数量和PCB板的层数也减少了,通常可以使用更小巧,更便宜的ASIC芯片和PCB板.更小巧的芯片和减少的器件数量可以简化布线版图,允许您缩小电路板的尺寸.

日电电子从各个方面利用eDRAM的优势并提供了许多特有的优势.因为我们的eDRAM技术与我们的标准完全兼容并且完全符合CMOS工艺,您可以得到全部的CMOS性能和可靠性.您的任何CMOS IP都能与eDRAM共存于同一块芯片上.集成eDRAM仅需要很少的额外工艺步骤,因此所需的花费是十分合理的.

与此同时, 先进工艺和存储器结构加上创新材料-如在90纳米中引进的二氧化锆(ZrO₂) )介质- 使得日电电子的eDRAM与竞争者提供的产品相比性能大大提升.

改进的结构大大减少了存储器阵列中的寄生电阻和电容,因此同时最小化了随即处理时间和功耗.低寄生效应同时也保证了在低工作电压下的稳定工作状态, 满足了当今CMOS逻辑的需求.

日电电子的嵌入式DRAM系列

我们的eDRAM系列从高性能的用于 130和150纳米的ASIC(分别是CB-130和CB-12技术)开始, 由90纳米UX6D/UX6LD工艺继承发展,现在扩展到了55纳米UX7LSeD工艺。无论何时您都能获得同类性能中最好的选择.

值得注意的是我们的eDRAM在领域里提供了许多超出嵌入式SRAM的优势, 功率和SER.

发展图与总结

如我们eDRAM的发展图所示, 日电电子持续不断地提高着eDRAM技术.此外还有通过工艺简化,eDRAM结构不断创新而提高的密度以及可以进一步缩小单元尺寸和提高性能的材料.注意每一代新eDRAM始终保持与相关CMOS标准一致达6个月左右.日电电子的eDRAM提供高性能和与CMOS的完全兼容.具有SRAM-like处理和低工作电压,eDRAM适合各种SOC应用的需求.

白皮书：

文章: