高速随即存取

竞争对手的eDRAM (50纳米到60纳米)

因为日电电子的eDRAM采用了自己特有的MIM（金属－绝缘膜－金属）电容结构，与其他公司的eDRAM相比，具有更快的随机存取速度。请进一步关注eDRAM单元结构。

130nm工艺的eDRAM在电压为1.2V时，随机存取速度可以达到314MHz（传输延迟时间＝1），即使在最坏条件下（电源电压1.1V,Tj=105℃,最慢工艺）也能保证200MHz的随机存取速度。90nm工艺的eDRAM，在电压为0.9V时，随机存取速度能够达到250MHz（最坏条件）。

eDRAM可以像SRAM一样简单地实现存储器的存取。在T＝0时，可以在任意行或者列设置数据，而且在同一时钟周期内进行读和写的操作。日电电子130nm工艺的eDRAM可以达到200MHz的工作频率，其存取时间（tRAC）仅为4.7ns。而传统的DRAM混在技术，为初始数据的存取需要包括空闲时钟周期，所以随机存取频率一般只有20MHz。

• 关于MIM（金属－绝缘膜－金属）电容技术