先进工艺技术
日电电子研发的成就已经通过高频率限制和低功耗的产品微型化的追踪被证实。
除了发展65nm节点之外,日电电子也成功地引进了全球第一个55nm节点,采用高-k绝缘材料且可大大降低功耗。
55nm节点是建立在基于微型版设计规则地65nm节点上并且与45纳米工艺技术具有一样地高性能的同时降低了功耗。新浸润式曝光生产设备可达到55nm的超精心工艺。
更进一步来讲,日电电子积极参与研发新一代产品。例如, 如在2006年12月的IEDM(国际电子产品会议)上所宣布的, 日电电子已经制定用于45nm节点的生产技术(注释 1),并且发展多层互连技术用于32nm节点。
注释1: 作为与东芝和索尼联合研究的结果
 图.1 技术发展图 |
各种广泛的选择
为了完善前沿的CMOS工艺,日电电子提供了大量的板载选项来支持广泛多样的应用。这些选择从嵌入式DRAM和非易失性存储器到被动元件和双极型产品。特别是在大容量嵌入式DRAM方面，日电电子无可争议地成为业界的领导者。在2006年, 标志着另一个世界首个eDRAM工艺开发完成用来完善前沿的55nmCMOS工艺。
低功耗
通过一系列称为UltimateLowPower的技术,日电电子在减少待机和工作功耗两方面都取得了极大的成绩。对于55nm节点而言，超薄高-k绝缘层不仅可以减少功耗同时也不用牺牲高运行速度。这些优势使得本工艺成为广泛应用的理想选择,从移动手写功能到高速网络逻辑。
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