UX6B BiCMOS

作为先进工艺技术的领先者, 日电电子在一个90纳米CMOS的平台上提供了首个基于硅的BiCMOS工艺。这款基于硅的技术提供了许多优势。

应用

日电电子的BiCMOS工艺面向模拟和混合信号, 所需频率达到10GHz(ft = 40 GHz)的应用范围。

基于硅的BiCMOS工艺的成本优势

成本一直是BiCMOS工业工艺所需考虑的问题然而, 日电电子基于硅的BiCMOS工艺成本仅比标准CMOS高出10%左右, 因为采用专利的epi-less结构仅需要增加4层掩模层。

虽然成本较低, 但是日电电子基于硅的BiCMOS工艺提供了高电压/高性能双极型和低功率CMOS的全部优点, 为模拟和混合信号电路的设计这提供了输出电流和功耗相平衡的经济选择。

性能增强的结构优势

图1. 日电电子NPN双极型晶体管的SEM截面图

通过低集电极电阻结构, UX6B技术提供了同类产品中最佳的基于硅的双极型结型晶体管(BJT)性能。 UX6B技术的结构优势之一在于在晶体管的基础上采用了硅化物。硅化合物的环形基极具有非常低的积极电阻(Rb),因此干扰很小。日电电子的BiCMOS晶体管另一个结构优势在于较深的集电极设计。较深的扩散(图1所示)缩短了晶体管从集电极到发射极的距离.缩短距离的结果是减小了电阻和提高了性能。

与标准CMOS技术相比，采用BiCMOS技术, 模拟电路设计者们可以大幅度提高相对精确度。基极-发射极-电压(Vbe)比CMOS晶体管的阈值电压(VT)要少一个数量级。

此外, 拥有日电电子的BiCMOS工艺, 双极型元件特性的控制可以不受CMOS特性影响。

通过从VLSI技术文摘下载此技术文章– "使用钴硅化物环形外围结构的0.15-µm/73-GHz fmax RF BiCMOS技术" –, IEEE成员可以读到更多关于日电电子发表的BiCMOS 0.15µm系列的结构进展。

多功能性和可制造性的历史

日电电子提供广泛的硅技术平台, 以及结合多种技术于单一芯片的成功记录。作为首个把BJT集成到90纳米CMOS平台, 日电电子继续扩展此工艺到最新的UX6B BiCMOS技术上。前沿90纳米UX6B, 日电电子BiCMOS发展图包括0.18µm (UB3), 0.25µm (UB2), 和 0.35µm (QB2)工艺节点。

为了进一步扩展日电电子技术的多功能性,UX6 BiCMOS工艺提供了三个性能级别-从高电压到低功率-允许您对于速度和功率进行平衡。